概要

新電元工業株式会社は、車載機器向けにHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2008SW」を発売しました。

近年の自動車は電子機器（ECU：Electronic Control Unit）の高機能化や多機能化に伴い消費電力が増加しています。従来、ECU入力部の逆接続保護および逆電流防止用素子にはダイオードが使用されてきましたが、電流増加による電力の損失や発熱の増加が課題となっていました。そこで、代替デバイスとして「理想ダイオード」の需要が高まっています。これらのデバイスはユニットが省電力時・軽負荷時でも安定して逆電流を防止する必要があるため、より高信頼性が求められています。

このようなニーズに応えるべくHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2008SW」を発売しました。本製品はNch-MOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能です。 前モデル※1に順方向制御を取り入れることで、逆電流が流れる前段階でのGate停止を可能とし、軽負荷時でも逆電流を防止します。また、従来ダイオード※2と比較し電力の損失を約72％、温度上昇を約51％抑制することができ※3、これにより車載製品など逆接続・逆電流保護を必要とする機器の小型化、電力の低損失化に貢献します。 また、Nch-MOSFET 2個 と組み合わせることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能 です。従来のメカニカルリレーと比較し、応答時間を約1/1000に短縮、実装面積を約96％の低減が可能となり、高速応答・小型化に寄与します。

※1 High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」
※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較
※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合

特長

理想ダイオードとして使用する場合

順方向制御機能

【VIN】-【OUT】<30mVで昇圧停止【VIN】-【OUT】>45mVで昇圧再開することで外付けNchMOSFETのVDS電圧を制御。
逆電流が流れる前段階でのGate停止を実現。

電力損失の低減

理想ダイオードとして使用する場合※3、従来ダイオード※2と比較し、電力損失を約72％低減させることが可能。
※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較
※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合

温度上昇の抑制

理想ダイオードとして使用する場合※3、従来ダイオード※2と比較し、温度上昇を約51％抑制させることが可能。

※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較
※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合

半導体リレーとして使用する場合

高速応答

半導体リレーとして使用する場合、ON/OFF信号に対する動作時間が速く、メカニカルリレーと比べてON時は約1/20、OFF時は約1/1000の応答時間短縮を実現。

確実なON/OFF

メカニカルリレーでは発生するON/OFF時の微細な振動を、半導体リレーでは発生を防止※４。
※4 条件によっては振動が発生する可能性があります。

実装面積の削減

半導体リレーとして使用する場合、メカニカルリレーと比較して実装面積を約96％削減させることが可能。

その他の特長

• AEC-Q100準拠
• 外付けNchMOSFETのVDS電圧差を監視し、IDET端子を使って電流として出力

用途例

• 先進運転システム（ADAS）
• 自動運転関連の車載ECU
• CNC
• シーケンサ
• サーバ等の電源の出力部Oring

ブロック図

外形寸法図

製品仕様

項目	MF2008SW
動作電圧	4.5～65V
動作時消費電流	200 μA
スタンバイ電流	≦5μA(外部信号あり)
昇圧回路出力電流	75μA (Typ.)
昇圧電圧	12.5V(Typ.)
逆電流　OFF開始時間/電流	200ns/0.7A (Typ.)
EN　OFF開始時間/電流	50ns/0.12A(Typ.)
電源逆接続時	電流低減＋外部Gate放電
チャージポンプ	キャパシタ内臓
順方向制御	30～45mV

生産工場

東根新電元 他

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