新電元工業株式会社は、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠したパワーMOSFET「P3FH90VX3」,「P5FH90VX3」2製品の発売を開始しました。
900Vの高耐圧により、xEV用DC/DCコンバータ制御電源の主スイッチや放電回路のスイッチに最適です。

概要

近年、地球温暖化対策による規制強化から環境対応車（xEV）の開発が急速に進んでいます。
xEV車では、400V級の高電圧バッテリーが搭載され、そこから主機モータ駆動をはじめとして、各種電子機器へ電力を供給しており、電力変換に用いられるパワー半導体デバイスには従来のガソリン車では必要なかった高耐圧が求められています。
主機モータ駆動用IGBTの制御回路の電源は高電圧バッテリーからDC/DCコンバータで生成されるため、その主スイッチ用途のMOSFETには高耐圧が求められています。また高電圧バッテリーの電圧変換回路には、高耐圧大容量の入力コンデンサが用いられますが、安全面からコンデンサに溜まった電荷を強制的に引き抜く回路が必要となるケースが増えており、そのスイッチ用途でも高耐圧MOSFETが必要になります。
従来からこれらのアプリケーション向けで800V級のMOSFETがありますが、新製品の「P3FH90VX3」,「P5FH90VX3」は、市場のニーズに応えて900Vの高耐圧を有しているため、高電圧DC/DCコンバータのキーパーツとなる主スイッチや、大容量コンデンサからの放電回路用スイッチとして最適です。
またESD耐量(HBM*1)は2kV保証で、車載で必要とされる高ESD耐量の要望にもお応えします。
*1: Human Body Model

特長

1. 車載信頼性規格AEC-Q101準拠
2. 面実装パッケージ（ハウスネーム：FH（JEDEC:TO-263AB-1））
3. 高耐圧VDSS =900V
   900V耐圧により高電圧バッテリー 電圧変換回路に最適
4. 高ESD耐量
   HBM=2kV,MM(*2)=200Vを保証
5. 高破壊耐量
   全数選別によるアバランシェ保証・di/dt保証

用途例

• 車載DC/DCコンバータ用制御電源主スイッチ
• 急速放電回路用スイッチ
• 高電圧リレー

V-DiodeTM MF2003SV 製品仕様

外形寸法図および内部等価回路（単位：mm）