新電元工業株式会社は、逆接続保護・逆電流防止用途にHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」を発売しました。本製品はNch-MOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能となり、車載機器の小型化、低損失化に貢献します。
また、Nch-MOSFET2個と組み合せることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能となり、従来のメカニカルリレーと比べて高速応答・小型化が実現できます。

概要

近年の自動車は電子機器（ECU：Electronic Control Unit）の高機能化や機能統合、多機能化に伴い消費電力が増加しています。
ECU入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子には従来ダイオードが使われてきましたが、電流増加による電力の損失や発熱の増加が機器の放熱対策や小型化の妨げとなっています。そこでICとMOSFETを組み合わせることで整流性を持たせ、加えて電力の低損失化・発熱の抑制・小型化を実現できる「理想ダイオード」の需要が高まっています。

このようなニーズに応えるべくHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」を発売しました。本製品はNch-MOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能となり、従来ダイオードと比較し電力の損失を約72％、温度上昇を約51％抑制することが出来ます※1。
これにより車載製品など逆接続・逆電流保護を必要とする機器や、出力ORing用途の小型化、電力の低損失化に貢献します。
また、Nch-MOSFET2個と組み合わせることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能※2です。従来のメカニカルリレーと比較し、応答時間を約1/1000に短縮、実装面積を約96％の低減が可能となり、高速応答・小型化に寄与します。

※1 当社Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合
※2 半導体リレーとして使用する場合は本製品のREV端子（7番端子）をGNDに接続してください

 

特長

電力損失の低減

理想ダイオードとして使用する場合※1、従来ダイオード※3と比較し、電力損失を約72％低減させることが可能。
※1 当社Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合
※3 当社SBD「D30FDC4S」を使用した場合

温度上昇の抑制

理想ダイオードとして使用する場合※1、従来ダイオード※3と比較し、温度上昇を約51％抑制させることが可能。
※1 当社Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合
※3 当社SBD「D30FDC4S」を使用した場合

高速応答

半導体リレーとして使用する場合※2、ON/OFF信号に対する動作時間が速く、メカニカルリレーと比べてON時は約1/20、OFF時は約1/1000の応答時間短縮を実現。
※2 半導体リレーとして使用する場合は本製品のREV端子（7番端子）をGNDに接続してください。

確実なON/OFF

メカニカルリレーでは発生するON/OFF時の微細な振動を、半導体リレーでは発生を防止※４。
※4 条件によっては振動が発生する可能性があります。

実装面積の削減

半導体リレーとして使用する場合※2、メカニカルリレーと比較して実装面積を約96％削減させることが可能。
※2 半導体リレーとして使用する場合は本製品のREV端子（7番端子）をGNDに接続してください。

その他の特長

• 外付けNch-MOSFETのVDS電圧差を電流として出力（IDET端子よりシンク / ソース電流を供給）
• AEC-Q100準拠

 

用途例

• 先進運転システム（ADAS）
• 自動運転関連の車載ECU
• CNC
• シーケンサ
• サーバ等の電源の出力部ORing

ブロック図

外形寸法図

製品仕様

 

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